Le module IGBT GD200HFT120C2S-G8 répond aux exigences techniques des systèmes industriels modernes. Intégré au cœur de vos variateurs de vitesse ou de vos convertisseurs de puissance, ce composant garantit une gestion rigoureuse de l'énergie électrique. Grâce à sa tension nominale de 1200V, il stabilise le flux de courant pour sécuriser vos installations triphasées.
Ce transistor bipolaire à grille isolée combine la simplicité de commande des MOSFET avec la capacité de conduction élevée des transistors bipolaires. Son boîtier robuste simplifie le montage sur dissipateur thermique, optimisant ainsi l'évacuation des calories lors des cycles de commutation intensifs.
| Caractéristique technique | Valeur nominale |
|---|---|
| Référence produit | GD200HFT120C2S-G8 |
| Tension collecteur-émetteur | 1200 V |
| Courant de collecteur continu | 200 A |
| Configuration | Demi-pont (Half-Bridge) |
| Nombre de pièces | 1 pièce |
Ce module trouve sa place dans une multitude d'équipements électriques complexes. Les techniciens et ingénieurs l'utilisent principalement pour la maintenance et la conception de :
En choisissant ce composant, vous réduisez les pertes par commutation et améliorez le rendement global de votre machine. La structure interne limite les inductances parasites, ce qui protège le circuit contre les surtensions transitoires.
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